据德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图。

如上图所示，在即将到来的 2023 年，三星将进入 1bnm 工艺阶段，内存芯片容量将达到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB)，原生速度将在 6.4-7.2Gbps。

显存方面，新一代 GDDR7 显存将在明年问世，因此 AMD 和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上 GDDR7 显存。

此外，三星还进行了一些长远的设想，如2026 年推出 DDR6 内存，2027 年即实现原生 10Gbps 的速度。

三星也公布了其闪存的路线图，预计将在 2024 年推出 V9 NAND 。